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DRAM-Roundhill記憶體主動型ETF

Roundhill Memory ETF

交易所代碼：DRAM

商品代碼：00991524

績效表現
市價走勢

區間：1年

DRAM-Roundhill記憶體主動型ETF(美元)

列印

市價

美元
漲(跌)幅

( )
風險屬性

非常積極
申購

基本資料

發行公司

Roundhill Investments

投資區域

全球

投資項目

計價幣別

美元

ETF規模

26,020 百萬美元(2026/09/30)

交易所

CboeBZX

ETF收盤價

46.4500
(2026/10/16)

總管理費用

0.6500%

年化標準差

Sharpe(一年)

Beta(一年)

投資配置

ETF持股分佈

主要持股TOP5

持股名稱

比例

Samsung Electronics Co Ltd

18.67%

MICRON TECHNOLOGY INC SWAP NM

16.64%

SK hynix Inc

16.50%

First American Government Obligations Fund 12/01/2031

15.52%

United States Treasury Bill 11/03/2026

11.52%

ETF檔案

ETF名稱

DRAM-Roundhill記憶體主動型ETF

英文名稱

Roundhill Memory ETF

發行公司

Roundhill Investments

計價幣別

美元

成立日期

2026/04/02

淨值幣別

美元

ETF規模

26,020 百萬美元(2026/09/30)

ETF市價

46.45(2026/10/16)

註冊地

美國

ETF淨值

48.23(2026/10/15)

投資項目

折溢率

2.28%(2026/10/15)

投資區域

全球

融資交易

是

總管理費用

0.6500%

放空交易

是

交易所代碼

DRAM

選擇權交易

否

交易所

CboeBZX

指標指數

文件下載

經銷商及經理人資料

經銷商

Foreside Fund Services, LLC

保管機構

U.S. Bank National Association

經理人

Timothy Maloney / William Hershey / David Mazza / Andrew Serowik / Todd Alberico / Gabriel Tan / Brian Cooper

發行公司網站

https://www.roundhillinvestments.com/etf/dram/

投資策略

本基金為主動型ETF，旨在實現資本增值。本基金通常主要投資於「記憶體公司」的股票，但也可能透過衍生性工具（例如互換協議和遠期合約）尋求對記憶體公司的曝險。在正常情況下，本基金至少將其淨資產的80%（加上用於投資目的的借款）投資於可帶來記憶體公司曝險的股票（可能包括存託憑證）或衍生性工具（例如，互換協議或遠期合約）。

市價與淨值比較

項目

價格

漲跌

漲(跌)幅

最高價格(年)

最低價格(年)

市價

淨值

市價與淨值走勢圖

區間

3月
6月
1年
3年
5年
全部

自

至

DRAM-Roundhill記憶體主動型ETF 淨值

DRAM-Roundhill記憶體主動型ETF 市價

近30日淨值

幣別：美元

報價相關網站

新聞及報價網站

官方網站

DRAM-Roundhill記憶體主動型ETF(CboeBZX)K線圖

資料日期：開盤：最高：最低：收盤：量：漲跌幅：

市價與淨值比較

項目

價格

自年初至今報酬率

年化標準差

Sharpe(一年)

β(一年)

市價

(美元)

67.33%

淨值

(美元)

77.25%

ETF績效圖

區間

3月
6月
1年
3年
5年
全部

自

至

項目

一日

一週

一個月

三個月

六個月

一年

兩年

三年

五年

市價(10/16)

-5.84%

-18.78%

-16.05%

-11.25%

32.56%

淨值(10/15)

-5.75%

-17.29%

-12.80%

-18.87%

40.24%

市價與指標指數比較

指標指數：Dow Jones U.S. Technology Index

年度

市價年報酬率

指標指數漲跌幅

差額

近一年

市價月報酬率

指標指數漲跌幅

差額

2026/09

6.08%

4.90%

1.18%

2026/08

12.96%

4.92%

8.04%

2026/07

-31.79%

-2.67%

-29.13%

2026/06

16.85%

-3.95%

20.80%

2026/05

60.69%

13.15%

47.55%

持股分佈(區域)

持股分佈(產業)

主要持股

持股名稱

投資比例

Samsung Electronics Co Ltd(2026/09/30)

18.67%

MICRON TECHNOLOGY INC SWAP NM(2026/09/30)

16.64%

SK hynix Inc(2026/09/30)

16.50%

First American Government Obligations Fund 12/01/2031(2026/09/30)

15.52%

United States Treasury Bill 11/03/2026(2026/09/30)

11.52%

MICRON TECHNOLOGY, INC.-SWAP-GOLD-L(2026/09/30)

9.88%

SAMSUNG ELECTRONICS -SWAP-GOLD-L(2026/09/30)

6.03%

SK HYNIX INC-SWAP-GOLD-L(2026/09/30)

5.40%

CXMT CORPORATION-SWAP-GOLD-L(2026/09/30)

5.06%

Seagate Technology Holdings PLC(2026/09/30)

4.76%

資料日期 : 2026年09月

無配息相關資訊

說明：

[短期資本利得]為在一年之內買進而又賣出的資本；[長期資本利得]是買進資本一年後才賣出的資本。

(1)

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(2)

ETF淨值及市價可能因市場因素而上下波動，淨值及市價僅供參考，實際以發行公司公告為準。
(3)

上述資料僅供參考用途，實際資料仍以發行公司公告為準。

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